技術(shù)文章
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產(chǎn)品概述LVD-F1是一款適用于實(shí)驗(yàn)室中CVD或DLCVD實(shí)驗(yàn)的導(dǎo)入液體的一款經(jīng)濟(jì)高效的液體蒸發(fā)輸送系統(tǒng)。其液體流量是通過一個(gè)數(shù)字液體泵來控制,最大流量為10ml/min。液體被蠕動(dòng)泵導(dǎo)入到混氣系統(tǒng)后,被系統(tǒng)里的加熱裝置加熱成蒸汽,然后隨導(dǎo)入的氣體被帶入到爐管中。LVD-F1能夠?qū)С龆喾N液體,比如ETOH,SnCl4,TiCl4r,SiHCl3,和Zn(C2H5)2,還有多種有機(jī)物混合。對(duì)于研究用...
混合箱式爐集加熱與物料混合功能于一體,廣泛應(yīng)用于材料燒結(jié)、熱處理及化工反應(yīng)等領(lǐng)域,其長期穩(wěn)定運(yùn)行依賴科學(xué)的維護(hù)與保養(yǎng)。??1、日常清潔是基礎(chǔ)。??每次使用后及時(shí)清理爐膛內(nèi)壁、加熱元件及混合裝置的殘留物,避免物料燒結(jié)或化學(xué)沉積物堆積,影響加熱效率與混合均勻性。爐門密封膠圈需定期檢查,清除附著的污垢與殘?jiān)?,防止漏氣?dǎo)致溫度波動(dòng)或能耗增加。2、??關(guān)鍵部件需重點(diǎn)維護(hù)。??加熱元件是爐子的核心熱源,需檢查是否有斷裂、老化或氧化現(xiàn)象,若發(fā)現(xiàn)表面變色、脆化或局部過熱痕跡,需及時(shí)更換以確保...
精密天平作為實(shí)驗(yàn)室核心計(jì)量設(shè)備,其準(zhǔn)確性直接影響實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的可靠性。調(diào)試過程需系統(tǒng)化操作,涵蓋環(huán)境適配、機(jī)械校準(zhǔn)、電氣校正及性能驗(yàn)證四大環(huán)節(jié),以下為標(biāo)準(zhǔn)化調(diào)試流程:一、環(huán)境準(zhǔn)備與初步檢查1.選址與穩(wěn)定將天平置于穩(wěn)固臺(tái)面(推薦大理石或防震臺(tái)),遠(yuǎn)離門窗、空調(diào)出風(fēng)口及振動(dòng)源(如離心機(jī))。確保環(huán)境溫度恒定,避免陽光直射或氣流擾動(dòng)。開機(jī)預(yù)熱至少30分鐘,使傳感器達(dá)到熱平衡狀態(tài)。2.外觀與部件檢查確認(rèn)秤盤清潔無殘留物,防風(fēng)罩完好閉合;檢查電源線、數(shù)據(jù)線連接牢固,無破損或松動(dòng)。若為電子天平...
真空感應(yīng)熔煉爐通過特殊的工藝設(shè)計(jì)和操作優(yōu)化,在減少污染與提升生產(chǎn)安全性方面具有優(yōu)勢(shì),成為冶金領(lǐng)域的重要技術(shù)手段。一、減少污染的關(guān)鍵措施真空感應(yīng)熔煉爐在密閉的真空環(huán)境中進(jìn)行熔煉,從根本上隔絕了空氣接觸,有效避免了金屬氧化和氮化反應(yīng)。這種無氧環(huán)境不僅防止了有害氣體的產(chǎn)生,還能降低金屬熔體中的雜質(zhì)含量,提升材料純度。熔煉過程中產(chǎn)生的少量廢氣通過過濾系統(tǒng)集中處理,避免直接排放到環(huán)境中。同時(shí),真空環(huán)境減少了熔煉過程中金屬蒸汽的擴(kuò)散,配合冷凝回收裝置,可有效回收貴重金屬蒸氣,既減少了材料...
真空管式爐在材料燒結(jié)、熱處理等工藝中,精確的溫度控制與高精度保障是關(guān)鍵,關(guān)乎產(chǎn)品質(zhì)量和實(shí)驗(yàn)結(jié)果的可靠性,以下介紹其相關(guān)技術(shù)。1、溫度控制技術(shù)溫度控制是真空管式爐運(yùn)行的核心。其采用溫度傳感器,能夠?qū)崟r(shí)、精準(zhǔn)地感知爐內(nèi)溫度,并將溫度信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)傳輸給控制系統(tǒng)。控制系統(tǒng)依據(jù)設(shè)定的溫度值與實(shí)際測(cè)量值進(jìn)行對(duì)比分析,通過調(diào)節(jié)加熱功率來控制溫度。當(dāng)爐內(nèi)溫度低于設(shè)定值時(shí),增加加熱功率;高于設(shè)定值時(shí),減少加熱功率,以此實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度的動(dòng)態(tài)調(diào)控,確保爐內(nèi)溫度穩(wěn)定在工藝要求的范圍內(nèi)。2、精度優(yōu)化技...
PECVD等離子體增強(qiáng)氣相沉積作為半導(dǎo)體與光電領(lǐng)域核心技術(shù)之一,通過低溫等離子體激發(fā)化學(xué)反應(yīng),在材料制備與器件性能優(yōu)化中發(fā)揮著不可替代的作用。1、突破傳統(tǒng)工藝限制PECVD等離子體增強(qiáng)氣相沉積的核心優(yōu)勢(shì)在于其低溫沉積特性。相比傳統(tǒng)熱壁CVD需要高溫環(huán)境,利用射頻或微波等離子體激活反應(yīng)氣體,在200-400℃的溫和條件下即可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量薄膜沉積。這一特性解決了半導(dǎo)體工藝中高溫導(dǎo)致基底材料變形、摻雜擴(kuò)散等難題,使得PECVD成為柔性電子器件、聚合物基復(fù)合材料等溫度敏感應(yīng)用的理想選擇...
顎式破碎機(jī)作為礦山、建材、冶金等行業(yè)常用的粗碎設(shè)備,其高效穩(wěn)定的運(yùn)行依賴于規(guī)范的操作流程。以下是完整的使用流程及關(guān)鍵要點(diǎn)解析,涵蓋開機(jī)前準(zhǔn)備、運(yùn)行操作、停機(jī)維護(hù)三大核心環(huán)節(jié),助力實(shí)現(xiàn)安全、高效的生產(chǎn)目標(biāo)。一、開機(jī)前準(zhǔn)備:筑牢安全基礎(chǔ)1.全面檢查設(shè)備狀態(tài)-機(jī)械結(jié)構(gòu):確認(rèn)機(jī)架、動(dòng)顎、定顎等關(guān)鍵部件無裂紋或變形,各連接螺栓(尤其是動(dòng)顎懸掛螺栓)緊固無松動(dòng);飛輪護(hù)罩、傳動(dòng)皮帶罩等安全防護(hù)裝置完好。-潤滑系統(tǒng):檢查軸承座潤滑油量(需達(dá)到油標(biāo)中線),油質(zhì)清潔無雜質(zhì);冬季需選用低溫流動(dòng)性好...
真空氣氛管式爐通過真空環(huán)境與可控氣氛結(jié)合,廣泛應(yīng)用于材料燒結(jié)、退火等工藝。掌握規(guī)范操作技巧并規(guī)避風(fēng)險(xiǎn),是保障實(shí)驗(yàn)安全與結(jié)果可靠的關(guān)鍵。??一、操作技巧:從準(zhǔn)備到結(jié)束的全流程優(yōu)化??使用前需檢查爐管密封性與真空系統(tǒng)完整性,確保法蘭接口無泄漏,真空泵油位正常。根據(jù)工藝需求選擇惰性氣體或還原性氣體,充氣前用真空泵抽除爐內(nèi)空氣,避免殘留氧氣與氣體反應(yīng)。裝爐時(shí)將樣品置于石英或陶瓷舟中心,避免接觸爐管內(nèi)壁,防止局部過熱或污染。設(shè)置升溫速率時(shí),遵循“緩慢升溫”原則,減少熱應(yīng)力導(dǎo)致爐管開裂或...
真空感應(yīng)熔煉爐在熔煉過程中通過感應(yīng)電流加熱金屬材料,因此需要大量的電能。同時(shí),傳統(tǒng)的燃料使用和電力來源往往是高碳的,這直接導(dǎo)致了較高的碳排放。降低電能消耗和碳排放不僅有助于減少生產(chǎn)成本,還能符合全球日益嚴(yán)格的環(huán)保政策。通過創(chuàng)新技術(shù)、優(yōu)化操作流程以及改進(jìn)設(shè)備設(shè)計(jì)等方法,可以有效實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。二、影響電能消耗與碳排放的主要因素加熱效率真空感應(yīng)熔煉爐的加熱效率直接影響到電能消耗。如果加熱過程不充分或能量浪費(fèi)較大,會(huì)導(dǎo)致電能消耗增加。爐體與爐襯的熱損失爐體和爐襯材料的熱損失是電能消耗...
混合箱式爐通過整合多種熱處理功能提升生產(chǎn)效率,但其工藝優(yōu)化需從溫度控制、氣氛管理到裝載方式協(xié)同改進(jìn),以實(shí)現(xiàn)性能與質(zhì)量的平衡。一、精準(zhǔn)控溫減少波動(dòng)溫度均勻性是熱處理的核心。優(yōu)化加熱元件布局可消除爐內(nèi)溫差,避免工件因局部過熱或不足導(dǎo)致性能差異。結(jié)合熱電偶實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與PID閉環(huán)調(diào)節(jié),快速響應(yīng)溫度偏離并自動(dòng)校正。對(duì)于復(fù)雜工件,需通過模擬軟件預(yù)判溫度場(chǎng)分布,調(diào)整裝爐位置或增加隔熱屏障,確保熱量滲透一致性。二、氣氛保護(hù)強(qiáng)化質(zhì)量氧化、脫碳等問題會(huì)降低工件表面精度。通入高純度氮?dú)饣驓鍤庑纬啥栊?..
蒸發(fā)鍍膜儀是一種通過物理氣相沉積(PVD)技術(shù)在基底表面沉積薄膜的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)、材料科學(xué)等領(lǐng)域。其核心原理是通過加熱蒸發(fā)源材料(如金屬、氧化物等),使其氣化后在基底表面冷凝成膜。為確保鍍膜質(zhì)量、設(shè)備穩(wěn)定性及操作安全性,需嚴(yán)格遵循以下使用細(xì)節(jié)與規(guī)范。一、設(shè)備組成與工作原理蒸發(fā)鍍膜儀主要由以下部分組成:1.真空系統(tǒng):包括機(jī)械泵、分子泵及真空腔體,用于創(chuàng)造高真空環(huán)境(通常達(dá)10?3~10??Pa),避免氣體分子干擾鍍膜過程。2.蒸發(fā)源:采用鎢絲、鉬舟或電子束加熱,將...
CVD氣相沉積技術(shù)通過精確控制氣相反應(yīng)過程,在微觀尺度重構(gòu)材料表面與內(nèi)部結(jié)構(gòu),為突破傳統(tǒng)材料性能瓶頸提供了解決方案。這項(xiàng)起源于半導(dǎo)體制造的工藝,正在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出應(yīng)用價(jià)值。在材料表面工程領(lǐng)域,CVD氣相沉積實(shí)現(xiàn)了原子級(jí)的涂層構(gòu)建。通過選擇特定前驅(qū)體氣體,在基體表面形成致密的化學(xué)鍵合涂層,不僅能提升耐磨性,還能構(gòu)建功能性表面。在航空航天領(lǐng)域,CVD制備的碳化物涂層使渦輪葉片工作溫度提升,同時(shí)保持表面光潔度,大幅降低氣動(dòng)阻力。這種涂層與基體的化學(xué)鍵合特性,使其在特殊工況下仍能保持...
在半導(dǎo)體與電子制造領(lǐng)域,真空氣氛管式爐憑借其高溫?zé)崽幚砟芰?,成為提升材料性能、?yōu)化工藝質(zhì)量的核心設(shè)備,尤其在芯片制造、電子元器件生產(chǎn)和材料研發(fā)中發(fā)揮著重要的作用。??一、高純環(huán)境保障材料品質(zhì)??半導(dǎo)體器件對(duì)材料純度要求較高,任何微量雜質(zhì)都可能影響性能。真空氣氛管式爐通過抽真空或充入惰性氣體,有效隔絕氧氣和水分,防止金屬、硅片等材料在高溫下氧化或腐蝕。這一特性使其成為制備高純度金屬電極、半導(dǎo)體薄膜和陶瓷基板的理想選擇,為后續(xù)光刻、蝕刻等工藝奠定基礎(chǔ)。??二、可控退火優(yōu)化器件性能...